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目前水电镀在重工业上应用较多（汽车等），而真空电镀则广泛应用于家用电器、化妆品包装。
如果真空电镀的硬度能达到水电镀的等级，那么水电镀将要消失了。
目前很多手机上的金属外观件，都采用PVD真空离子镀，不仅能够提供漂亮的颜色而且耐磨性很好。不过比较贵，成本较高。
溅射镀：磁控溅射镀膜设备：
磁控溅射镀膜设备是一种多功能、高效率的镀膜设备。可根据用户要求配
置旋转磁控靶、中频孪生溅射靶、非平衡磁控溅射靶、直流脉冲叠加式偏压电源等，
组态灵活、用途广泛，主要用于金属或非金属（塑料、玻璃、陶瓷等）的工件镀铝、
铜、铬、钛金、银及不锈钢等金属膜或非金属膜及渗金属DLC膜，所镀膜层均匀、
致密、附着力强等特点，可广泛用于家用电器、钟表、工艺美术品、玩具、车灯
反光罩以及仪器仪表等表面装饰性镀膜及工模具的功能涂层。
a旋转磁控溅射镀膜机；旋转磁控溅射镀膜技术，是国内外最先进的磁控溅射镀膜技术，靶材利用率达到70～80%
以上，基体镀膜均匀，色泽一致。
b平面磁控溅射镀膜机；
c中频磁控溅射镀膜机；
d射频磁控溅射镀膜机。
可以在金属或非金属（塑料、玻璃、陶瓷）的工件镀金属铝、铜、钛金、锆、银、不锈钢及金属反应物（氧化
物、氮化物、炭化物）、半导体金属及反应物。所镀膜层均匀、致密、附著力好等特点。
一、 单室/双室/多室磁控溅射镀膜机
该镀膜机主要用於各种灯饰、家电、锺表、玩具以及美术工艺等行业，在金属或非金属（塑料、玻璃、陶瓷）等
制品镀制铝、铜、铬、钛、锆、不锈钢等系列装饰性膜层。
技术指标：
真空室尺寸：可以根据用户的要求设计成单室或双室或多室
极限压力：8×10-4Pa
恢复真空度时间：空载 从大气至 5 × 10-2Pa ≤ 3或8min（根据用户要求定）
工作真空度：10～1.0× 10-1Pa
工艺气体进入装置：质量流量控制器（可选配自动压强控制仪）
转动工件架形式：公 / 自转工件架
溅射源：矩形平面溅射源（1～4个）/柱状溅射源（1个）/混合溅射源
可以选配：基片烘烤装置；反溅射清洗
二、单室/双室/多室磁控反应溅射镀膜机
该镀膜机主要用於太阳能吸热管所需要的镀膜涂层（如Al—N/Al或Cu—C/1Cr18Ni9Ti）；高级轿车後视镜镀膜
（蓝玻）；装饰仿金、七彩镀膜；透明导电膜（ITO膜）；保护膜。
技术指标：
真空室尺寸：可以根据用户的要求设计成单室或双室或多室
极限压力：8×10-4Pa
恢复真空度时间：空载 从大气至 5 × 10-2Pa ≤ 15min（根据用户要求定）
工作真空度：10～1.0× 10-1Pa
工艺气体进入装置：质量流量控制器（可选配自动压强控制仪）
工作气路：2路或3路
转动工件架形式：公 / 自转工件架
溅射源：矩形平面溅射源（1～4个）/柱状溅射源（1个）/混合溅射源
三、多功能镀膜机
设备基本配置：
真空室
工件转动系统
真空抽气系统
工作气体供气系统
溅射系统：平面溅射/柱状溅射/中频溅射/射频溅射系统
动系统
控制系统
冷却系统
技术指标：
真空室尺寸：φ600×800 φ850×1000 φ1000×1200 φ1100×1500 可以根据用户的要求设计成箱式
极限压力：8×10-4Pa
恢复真空度时间：空载 从大气至 5 × 10-2Pa ≤ 15min（根据用户要求定）
工作真空度：10～1.0× 10-1Pa
工艺气体进入装置：质量流量控制器（可选配自动压强控制仪）
工作气路：2路或4路
转动工件架形式：公 / 自转工件架
溅射源：矩形平面溅射源（1～4个）/柱状溅射源（1个）/中频溅射源/射频溅射源/混合溅射源
用途：本设备应用磁控溅射原理，在真空环境下，在玻璃、陶瓷等非金属；半导体；金属基体上制备各种金属膜、合
金膜、反应化合物膜、介质膜等等。
四、实验系列磁控溅射镀膜机
技术指标：
真空室：φ450×400
极限压力：5×10-5Pa
工作压力：1～1.0× 10-2Pa
真空系统主泵：涡轮分子泵
阴极靶数量：2～5个
工作气体控制：质量流量控制器，自动压强控制仪
工作气路：2路或4路
靶电源：直流磁控溅射源（10000W），
中频电源（10000W），
射频电源（2000W）。
工件转动：行星式公自转
工件负偏压：/
性能特点：磁控靶数量多，靶材种类变化大，各种参数变化范围大，所镀制膜层有金属、合金、化合物，可镀制单
层或多层膜。
五、中频磁控溅射镀膜机
中频磁控溅射镀膜技术是磁控技术另一新里程碑,是镀制化合物（氧化物、氮化物、碳化物）系膜的理想设备，
彻底克服了靶打弧和中毒现象,并具溅射速率快、沈积速率高等优点,适合镀制铟锡合金（ITO）、氧化铝（AL2O3）
、二氧化硅（SiO2）、氧化钛（TiO2）、氧化锆（ZrO2）、氮化硅（Si3N4）等，配置多个靶及膜厚仪,可镀制多种多
层膜或合金膜层。
六、射频磁控溅射镀膜机
具有溅射速率高，能镀任何材料（导体、半导体和介质材料）。在低气压下等离子体放电，膜层致密，针孔少。
主要技术参数
真空室尺寸：F500´450（mm）
极限真空度：优於4´10- 4 Pa （3´10- 6Torr）
溅 射 靶： F 100mm磁控溅射源三只溅
射功率： 直流5千瓦，射频2千瓦
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